Estoy un poco sorprendido con los problemas que tenéis con las tarjetas SD y las memorias USB, yo nunca he tenido ningún problema, es más, sigo utilizando una tarjeta SD de 16Mb que me venía de regalo con una cámara de fotos que compré en Diciembre de 2004.
He indagado un poco sobre el tema de la fiabilidad de las tarjetas SD y he dado con un documento muy interesante sobre las memorias flash en la página de Kingston :
http://media.kingston.com/pdfs/MKF_283.1_Flash_Memory_Guide_ES.pdf, pego un fragmento del documento :
"Alta fiabilidad de los datos: la memoria Flash es muy fiable, y además muchos tipos de dispositivos Flash de
almacenamiento incluyen la tecnología ECC de comprobación de los datos mediante código de corrección de
errores, así como la de nivelación avanzada del desgaste.
Por ejemplo, las unidades de estado sólido de Kingston tienen un ratio nominal de errores de menos de (1) bit en
1.000.000.000.000.000 de bits leídos (1 bit por cada 1015 bits leídos).
• Retención de los datos en los dispositivos Flash de Kingston: los dispositivos Flash de almacenamiento de
Kingston utilizan principalmente chips MLC/TLC de memoria Flash. La retención de los datos en la memoria
Flash es dinámica, dado que la cantidad de ciclos de programación/borrado afecta a esta retención. Toda
información importante siempre debe contar con una copia de seguridad en un medio distinto, para su
protección a largo plazo.
• Tecnología de nivelación del desgaste: los dispositivos Flash de almacenamiento de Kingston incorporan
controladores de tecnología avanzada con funcionalidad de nivelación del desgaste, que distribuyen de forma
uniforme la cantidad de ciclos de programación/borrado (P/E) entre las celdas de memoria Flash. Por lo anterior,
la nivelación del desgaste prolonga la vida útil de las tarjetas de memoria Flash (para más información, consulte
la sección “Durabilidad de las celdas de memoria Flash de Kingston”, a continuación).
• Durabilidad de las celdas de memoria Flash de Kingston: las celdas de memoria Flash no volátiles permiten una
cantidad finita de ciclos de programación/borrado (P/E). Simplificando, siempre que se escriben y se borran
datos en los dispositivos Flash de almacenamiento disminuye la cantidad de ciclos restantes de P/E, y se podría
llegar a un punto en el que la memoria Flash ya no sea utilizable.
En el caso de las celdas MLC (multi-niveles) de memoria Flash, la vida útil de cada sector físico individual
es de 3000 ciclos de escritura (en base a los procesos litográficos actuales, de trazos conductores de 19 nm
Guía de memoria Flash
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y 20 nm), en el momento de la redacción de este documento. En el caso de las celdas SLC (un sólo nivel)
de memoria Flash, la vida útil de cada sector físico individual es de 30.000 ciclos de escritura. En el caso de
las celdas TLC (tres niveles), la vida útil de cada sector físico individual es de hasta 500 ciclos de escritura. La
litografía de los moldes de fabricación de los chips de memoria Flash juega un papel muy importante en la
durabilidad de las celdas, ya que decrece a medida que el tamaño de las celdas se hace más pequeño.
• Tecnologías de memoria Flash: las celdas MLC de memoria Flash NAND utilizan múltiples estados en cada
celda, lo que permite el almacenamiento de más bits de datos con el uso de la misma cantidad de transistores.
La tecnología MLC de memoria Flash NAND utiliza cuatro estados posibles en cada celda. En el caso de las
celdas SLC de un solo nivel, cada celda tiene dos estados posibles. En el caso de las celdas TLC de tres niveles,
se pueden almacenar bits en ocho estados posibles. La litografía de los moldes de fabricación de los chips de
memoria Flash juega un papel muy importante en la durabilidad de las celdas, ya que decrece a medida que el
tamaño de las celdas se hace más pequeño.
• Factor de amplificación de escritura: el factor de amplificación de escritura o factor “WAF” está presente en todos
los dispositivos Flash de almacenamiento. El valor del factor de amplificación de escritura resulta de la relación
numérica entre la cantidad de los datos escritos por el sistema y la cantidad de datos realmente escritos en
los chips de memoria Flash. La escritura en todos los dispositivos Flash se hace en bloques completos, lo que
significa que para escribir en un bloque que ya contenga datos, el controlador Flash debe trasladar los datos
presentes en el bloque (generalmente a la memoria del equipo), combinarlos con los datos nuevos y después
volver a escribir todos los datos en la memoria Flash. Por ejemplo, cuando un sistema realiza una operación de
escritura de un archivo de 2 MB al dispositivo Flash, en la práctica, se pueden haber escrito un total de 4 MB
de datos en la memoria Flash para completar la operación. En ese caso el factor de amplificación la escritura
tendría un valor de 2. En algunos casos el factor WAF puede tener valores tan altos como 20 y 30.
• Reasignación automática de sectores dañados: los controladores Flash de los dispositivos de Kingston bloquean
automáticamente las secciones del dispositivo que contengan celdas de memoria dañadas (“bloques malos”)
y trasladan los datos correspondientes a otras secciones (“bloques de espacio libre”) a fin de evitar daños
en los datos. Al realizar su formateo en fábrica (como se describe en la sección 2), en el dispositivo Flash de
almacenamiento se reservan bloques sustitutos para la posible reasignación de sectores dañados en el futuro,
con el fin de prolongar la vida útil y la fiabilidad de los dispositivos.
• Conectores de alta calidad: en los dispositivos Flash de almacenamiento de Kingston siempre se utilizan
conectores de alto nivel, para asegurar una larga vida y un uso fiable de los dispositivos"
Lo cual me lleva a pensar que si os han dado problemas es o por que eran copias de marcas reconocidas, o que las habéis reescrito cientos de veces, si no no entiendo que de repente pierdas los datos, a mí de momento no me ha pasado nunca. Sí que he perdido información en diskettes de 35" pero creo que es por haberlos guardado inadecuadamente.